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[发明专利]电平切换电路和电平切换装置-CN201410811330.9有效
发明人：黄从朝;杨昌宜 -专利权人：昆山锐芯微电子有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H03K3/36 文献下载
摘要：一种电平切换电路和电平切换装置，在电平切换电路中，第一MOS管的漏极连接第六MOS管的漏极并作为电平切换电路的输出端，第一MOS管的栅极连接第二MOS管的栅极、第四MOS管的漏极、第五MOS管的漏极，第一MOS管的源极连接第二MOS管的源极和第三MOS管的漏极；第三MOS管的源极连接第六MOS管的源极；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管的衬底均各自与其自身的源极连接；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第六MOS管为同类型的MOS管，第四MOS管与第一MOS管为不同类型的MOS管。
电平切换电路装置

[发明专利]基于共源共栅伪差分结构的预加重驱动电路-CN201710820069.2有效
发明人：陈伟伟;汪鹏君;张亚伟;李文辉;杨建义 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于共源共栅伪差分结构的预加重驱动电路，包括偏置电路、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管均为P型MOS管，第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管均为N型MOS管；优点是在具有简单的电路结构的基础上，输出灵活性高，可以根据需要输出不同的预加重电压驱动信号，满足不同的环境需求。
基于共源共栅伪差分结构加重驱动电路

[发明专利]基于单向再生比较器的预加重电路-CN201610982944.2在审
发明人：陈伟伟;张亚伟;李文辉;汪鹏君;杨建义 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H03K5/1534 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单向再生比较器的预加重电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和压控电压源，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管构成再生比较器，第十MOS管和第十一MOS管为两个辅助开关管，
基于单向再生比较加重电路

[实用新型]低电压带隙基准电压源-CN201320192991.9有效
发明人：叶春 -专利权人：成都掌握移动信息技术有限公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低电压带隙基准电压源，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管
电压基准

[发明专利]源极分开的单元-CN201680055213.1在审
发明人： S·萨胡;X·陈;V·伯纳帕里;H·B·利姆;M·库普塔;H·康;C·高;R·古塔尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种MOS器件包括第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第一MOS晶体管源极、第一MOS晶体管漏极和第一MOS晶体管栅极。该MOS器件还包括第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管具有第二MOS晶体管源极、第二MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管栅极。第二MOS晶体管源极和第一MOS晶体管源极耦合到第一电压源。该MOS器件包括第三MOS晶体管，该第三MOS晶体管具有第三MOS晶体管栅极，该第三MOS晶体管栅极在第一MOS晶体管源极与第三MOS晶体管源极之间，该第三MOS晶体管进一步具有第三MOS晶体管源极和第三MOS晶体管漏极，该第三MOS晶体管源极耦合到第一MOS晶体管源极，该第三MOS晶体管漏极耦合到第二MOS晶体管源极，该第三MOS晶体管栅极处于浮置。
分开单元

[实用新型]压控振荡器的偏置电路-CN201220325352.0有效
发明人：盛怀茂;陈敏强 -专利权人：汉凌微电子(上海)有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压控振荡器的偏置电路，包括第一组电流镜、第二组电流镜；第一组电流镜包括第一MOS管、第二MOS管，第一MOS管、第二MOS管为类型相同；第二组电流镜包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管与第一MOS管、第二MOS管类型相反；第五MOS管的栅极、漏极与第六MOS管的栅极及第二MOS管的漏极相连；第五MOS管的源极与第三MOS管的漏极、栅极以及第六MOS管的源极相连；第六MOS管的漏极与第四MOS管的栅极及第七MOS管的栅极相连；第七MOS管的源极、漏极与第三MOS管的源极及第四MOS管的源极接电源电压；第四MOS管的漏极接压控振荡器。
压控振荡器偏置电路

[发明专利]基于延时信号的AI处理器的处理单元及累积单元-CN202010528674.4有效
发明人：李磊;周婉婷;胡剑浩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03K5/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于延时信号的AI处理器的处理单元及累积单元，该处理单元包括延迟单元、及与延迟单元连接的第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管，第一MOS管和第二MOS管的漏极均与输入Vin_A连接，第三MOS管和第四MOS管的漏极均与输入Vin_B连接，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管的栅极均与输入w连接，第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管的栅极与输入x′连接。
基于延时信号 ai 处理器处理单元累积

[发明专利]一种基于摆幅恢复传输管逻辑的全加器-CN201911171039.9有效
发明人：张跃军;韩金亮;吴志信;张会红 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03K19/017 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于摆幅恢复传输管逻辑的全加器，包括异或/同或电路、两个数据选择器和三个反相器，异或/同或电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管，第一数据选择器包括第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管和第二十MOS管，第二数据选择器包括第二十一MOS管、第二十二MOS管、第二十三MOS管、第二十四MOS管和第四反相器；优点是低电压时输出可以达到全摆幅，驱动能力强，能够用于低电压环境。
一种基于恢复传输逻辑全加器

[发明专利]LTPO型移位寄存器电路及其驱动方法、显示面板-CN202110546404.0在审
发明人：杨波;石领;曾科文;刘卫;景阳钟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G11C19/28 文献下载
摘要：本申请实施例提供了LTPO型移位寄存器电路及其驱动方法、显示面板，第二MOS管为N型MOS管，其他的MOS管，包括第一MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管均为P型MOS管，通过CMOS的工艺，采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式，在保证子像素正常发光、减少电压信号通过MOS管的损失、减少异常显示的情况下，减少MOS
ltpo 移位寄存器电路及其驱动方法显示面板

[实用新型]降低电源波动对跨导放大器输入失调电压影响的电路-CN201920247480.X有效
发明人：李征 -专利权人：南京能芯半导体有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种降低电源波动对跨导放大器输入失调电压影响的电路，主要由11个MOS管连接而成，第一MOS管源极和第二MOS管源极连接构成跨导放大器的差分输入级；第五MOS管和第六MOS管的连接，第七MOS管和第八MOS管的连接，第三MOS管和第四MOS管的连接各自分别构成电流镜；第八MOS管漏极与第四MOS管漏极分别作为电流镜输出连接第九MOS管栅极；第九MOS管源极、第七MOS管源极、第八MOS管源极与第十一MOS管漏极连接；第十MOS管漏极与第一MOS管源极、第二MOS管源极连接；第十一MOS管源极与第十MOS管源极连接；第十一MOS管的栅极、第十MOS管的栅极连接偏置电压V_BIAS
源极漏极源极连接跨导放大器电流镜输入失调电压本实用新型差分输入级电源波动偏置电压输出连接栅极连接电路

[发明专利]一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元-CN202111210861.9在审
发明人：杜世民;殷金曙;戴晟 -专利权人：宁波大学科学技术学院
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元，包括读字线RWL、写字线WWL、写位线WBL、反相写位线WBLB、读位线RBL、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第一忆阻器和第二忆阻器，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管组成了读写分离的SRAM结构；第九MOS管、第十MOS管、第一忆阻器和第二忆阻器组成了分压式忆阻器结构，用于存储数据以及数据恢复；优点是在读方面稳定性较高，且恢复成功率高，抗干扰能力强。
一种具有掉电存储功能 sram 单元

[发明专利]基于同或异或电路反馈的全加器-CN201910916949.9有效
发明人：韩金亮;俞海珍;张跃军 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于同或异或电路反馈的全加器，包括同或异或电路、求和电路、进位电路、第一反相器和第二反相器，同或异或电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管，求和电路包括第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管，进位电路包括第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管和第三反相器；优点是在具有全摆幅和较低的功耗的基础上，延时较小，运行速度较快。
基于电路反馈全加器

[发明专利]双端口静态随机存取内存-CN202010466157.9在审
发明人：陈品翰;王钰林;李巍 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种双端口静态随机存取内存，包括第一MOS第一端作为差动位线A端口一，第一MOS第二端连接第二MOS第二端、第三MOS第三端、第五MOS第二端、第六MOS第二端、第七MOS第三端，第一MOS第三端连接第四MOS第三端作为内存字线A；第二MOS第一端连接电源电压，第二MOS第三端连接第三MOS第二端、第四MOS第二端、第六MOS第三端、第七MOS第二端和第八MOS第二端；第三MOS第一端连接电源电压；第四MOS第一端作为差动位线A端口二；第五MOS第一端作为差动位线B端口二，第五MOS PG4第三端连接第八MOS第三端作为字线B；第六MOS第一端和第七MOS第一端连接地；第八MOS第一端作为差动位线B端口一；第四MOS PG2和第五MOS PG4的关键尺寸与第一～第三和第六～第八MOS不同。
端口静态随机存取内存

[发明专利]一种完全非对称的亚阈值单端9管存储单元-CN201910024883.2有效
发明人：温亮;张静;莫微;陈宣华;林淑玲;韩建民;陶建平 -专利权人：中国人民武装警察部队海警学院
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种完全非对称的亚阈值单端9管存储单元，包括位线、反相位线、读字线、写字线、P‑N‑N型反相器、P‑P‑N型反相器和读写选择电路，P‑N‑N型反相器包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一MOS管为P型MOS管，第二MOS管和第三MOS管均为N型MOS管，P‑P‑N型反相器包括第四MOS管、第五MOS管和第六NMOS管，第四MOS管和第五MOS管均为P型MOS管，第六MOS管为N型MOS管，读写选择电路包括第七NMOS管、第八MOS管和第九MOS管，第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管均为N型MOS管；优点是具有较高的读写噪声容限，不容易受到噪声干扰，稳定性较高。
一种完全对称阈值存储单元

[实用新型]一种SRAM存储器-CN201320326372.4有效
发明人：刘鑫;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SRAM存储器，包括：第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第一至第四P型MOS管;其中，第一N型MOS管与第一P型MOS管形成第一反相器，第二N型MOS管与第二P型MOS管形成第二反相器；第五N型MOS管与第一N型MOS管并联，第六N型MOS管与第二N型MOS管并联；第一P型MOS管与第三P型MOS管并联，第二P型MOS管与第四P型MOS管并联；第三MOS管和第四MOS管的栅极与字线信号相连，第三MOS管的漏极与位线信号相连，第四MOS管的漏极与位线非信号相连，第三MOS管的源极与第一存储节点相连，第四MOS管的源极与第二存储节点相连
一种 sram 存储器

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